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硅是地球上儲(chǔ)藏最豐富的材料之一，從19世紀(jì)科學(xué)家們發(fā)現(xiàn)了晶體硅的半導(dǎo)體特性后，它幾乎改變了一切，甚至人類的思維。直到上世紀(jì)60年代開始，硅材料就取代了原有鍺材料。

硅材料可以制成單晶硅和多晶硅，單晶硅是半導(dǎo)體集成電路的基礎(chǔ)材料，多晶硅是太陽(yáng)能電池的基礎(chǔ)材料。

單晶硅圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直徑越大的圓片，所能刻制的集成電路越多，芯片的成本也就越 低。但大尺寸晶片對(duì)材料和技術(shù)的要求也越高。單晶硅按晶體生長(zhǎng)方法的不同，分為直拉法（CZ）、區(qū)熔法（FZ）和外延法。直拉法、區(qū)熔法生長(zhǎng)單晶硅棒材，外延法生長(zhǎng)單晶硅薄膜。直拉法生長(zhǎng)的單晶硅主要用于半導(dǎo)體集成電路、二極管、外延片襯底、太陽(yáng)能電池。

多晶硅是由許多硅原子及許多小的晶粒組合而成的硅晶體。由于各個(gè)晶粒的排列方向彼此不同，其中有大量的缺陷。多晶硅一般呈深銀灰色，不透明，具有金屬光澤， 性脆，常溫下不活潑。多晶硅是用金屬硅（工業(yè)硅）經(jīng)化學(xué)反應(yīng)、提純,再還原得到的高純度材料（也叫還原硅）。目前世界上多晶硅生產(chǎn)的方法主要有改良西門子 法（SiHCl3）、新硅烷法（SiH4）、SiH2Cl2熱分解法、SiCl4法等多晶硅生產(chǎn)工藝。

多晶硅片,半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗，微量污染也會(huì)導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機(jī)物和無(wú)機(jī)物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機(jī)污染包括光刻膠、有機(jī)溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無(wú)機(jī)污染包括重金屬 金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo)；堿金屬如鈉 等，引起嚴(yán)重漏電；顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機(jī)膠體纖維等，會(huì)導(dǎo)致各種缺陷。所以清洗多晶硅、半導(dǎo)體、太陽(yáng)能光伏電池板必須用超純水，目前制取超純水工藝可分為反滲透+混床超純水設(shè)備，二是反滲透+EDI超純水設(shè)備，這是兩種制取超純水設(shè)備常用的工藝。

多晶硅片,半導(dǎo)體器件，太陽(yáng)能光伏行業(yè)硅片清洗水質(zhì)要求非常高，電阻率達(dá)18兆以上，目前首選工藝是全膜法制取超純水，全膜法超純水設(shè)備是指采用盤濾+UF+RO+EDI+SMB組成的工藝設(shè)備，即預(yù)處理采用盤濾過濾器+超濾工藝，除鹽采用二級(jí)反滲透＋EDI工藝使產(chǎn)水電阻率達(dá)到16MΩ.cm以上，終端供水采用變頻供水泵＋二級(jí)精精混床＋終端超濾膜使產(chǎn)水電阻率達(dá)到18.2MΩ.cm，經(jīng)處理后的產(chǎn)水水質(zhì)達(dá)到中國(guó)《電子級(jí)水 GB/T11446.1-1997 Ⅰ級(jí)》水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)和ASTM-D5127-2007《美國(guó)電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》。