電子半導(dǎo)體
電子半導(dǎo)體生產(chǎn)用超純水對TOC、DO、SIO2、Particulate的控制極其嚴(yán)格，達(dá)到PPb級，產(chǎn)水水質(zhì)要求在18.2MΩ*cm（25℃）以上。
超凈高純(VLSD) 試劑是大規(guī)模集成電路(IC) 及高檔半導(dǎo)體器件制造過程的專用化學(xué)品，主要用于硅單晶片的清洗、光刻、腐蝕工序中，它的純度和潔凈度對集成電路的成品率、電性能、可靠性都有著重要的影響。
隨著IC集成度的不斷提高，對超凈高純試劑的質(zhì)量指標(biāo)提出了更高要求。國際上半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(Semiconductor Industry Association) 新近推出Semi C7 (適合0.8~1.2μm 工藝技術(shù)) 和Semi C8 (適合于0.2~0.6μm 工藝技術(shù)) 級別試劑質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。
中國的超凈高純試劑有低塵高純級、MOS級、BV-I 級、BV-I級、BV-皿級(相當(dāng)于Semi C7 質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn))。
超凈化學(xué)品超純水可選工藝流程：
工藝流程1：MMF+ACF+2B3T+RO+MB+2SMB
設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來。現(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于右邊：
設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
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第一種 采用離子交換樹脂
其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換
其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還有一定破壞性。
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第三種 采用反滲透作預(yù)處理
再配上電去離子(EDI)裝置這是目前制取超純水最經(jīng)濟(jì)，最環(huán)保用來制取超純水的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。
技術(shù)要求
半導(dǎo)體芯片用水主要在于前端晶棒硅切片冷卻用水，基板晶圓片檢測清洗用水，中段晶圓片濺鍍、曝光、電鍍、光刻、腐蝕等工藝清洗，后段檢測封裝清洗。LED芯片主要是前段在MOCVD外延片生長用水，中段主要在曝光、顯影、去光阻清洗用水，后段檢測封裝用水。同時，半導(dǎo)體行業(yè)對TOC的要求較高。
水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)
1、ASTM-D5127-2007《美國電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》
2、歐盟電子級超純水標(biāo)準(zhǔn)
3、中國電子工業(yè)國家標(biāo)準(zhǔn)GB/T11446.1-1997
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