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液晶面板生產(chǎn)大約50%以上工序中硅片與超純水直接接觸，有80%以上工序需要進(jìn)行化學(xué)處理，而化學(xué)處理又與超純水有密切關(guān)系，并且直接與工件接觸。如果水質(zhì)不純，就會(huì)導(dǎo)致器件性能下降，影響產(chǎn)品性能，進(jìn)而影響產(chǎn)品的良率。因此,超純水的品質(zhì)對(duì)液晶面板發(fā)展有很大影響。隨著更高集成度產(chǎn)品的出現(xiàn)，勢(shì)必將對(duì)超純水提出更為嚴(yán)格的要求。其中，要求特別嚴(yán)格的指標(biāo)是微粒的粒徑和數(shù)量、有機(jī)物TOC表示）、溶解氧（DO）以及二氧化硅（SiO2）、硼和溫度。

一、 水中微粒

水中的微粒，對(duì)液晶面板生產(chǎn)有著極大的危害，當(dāng)微粒與硅片接觸時(shí)，由于分子間互作用力、電子吸引力以及毛細(xì)管力的作用，極易粘附在硅片表面，很難清除尤其是水分蒸發(fā)后，殘留在硅片表面的微粒更難去除，邊而對(duì)電路造成破壞作用、 粒徑較大的微粒，將使電路產(chǎn)生較大的缺陷，而微粒的多少，將影響產(chǎn)生缺陷的數(shù)量(缺陷密度）。

二、 有機(jī)物(TOC)

由于在超純水中TOC的污染能在硅片表面分解，在硅片上形成霧狀物，這些有機(jī)污染可使硅片增加局部氧化速度，能生長(zhǎng)幾十種的無(wú)定型氧化硅，使氧化層不均勺，所以需要嚴(yán)格控制超純水的T0C。

三、 溶解氧(DO)

溶解氧是硅片在清洗過(guò)程中生長(zhǎng)自然氧化膜的敏感因素，又是微生物賴以生存的重要條件，硅片在清洗過(guò)程中，如水中有溶解氧存在，極易在硅片表面生成自然氧化膜，進(jìn)而影響電路的性能和成品率。由于水中的溶解氧高，能在硅片表面形成一層無(wú)定型氧化硅，響器件的性能和成品率。

四、硅(SiO2)

水中的硅一般以總硅表示，包括可溶性硅和非可溶性硅?？扇苄怨枰匀芙鉅顟B(tài)存在于水中，尺寸一般在1mm-1um范圍內(nèi)。它如在硅片表面上沉，將影響熱癢化層的質(zhì)量，產(chǎn)生表面缺陷，甚至造成廢品。超純水中硅對(duì)大規(guī)模集成電路的材料、器件性能和成品率有很大的影響。它會(huì)降低熱生長(zhǎng)的氧化物的可靠性，造成磷硅霧，等離子刻蝕，也會(huì)形成顆粒污染，而影響圖形缺陷，會(huì)降低電子管及固體電路的質(zhì)量。

五、硼(Boron)

在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，硼過(guò)量會(huì)使n型硅反型，對(duì)電子、空穴濃度有影響。因此在純水行業(yè)中，要充分考慮硼的脫除和所用樹(shù)脂中硼的析出，目前硼含量可以控制在0.01ug/L左右。

六、溫度

超純水的溫度是光刻技術(shù)中折射率的重要參數(shù)之一，它將影響行清晰度和聚焦的深度。超純水的溫度控制25℃士1℃ ?？偠灾兯乃|(zhì)嚴(yán)重影響著液晶面板的生產(chǎn)，如顆粒將在制程產(chǎn)生圖案偏差、介電質(zhì)上殘余的有機(jī)合成物將使記憶體中止時(shí)間失效、接面上的細(xì)菌會(huì)導(dǎo)致接面漏電流、堿金屬易造成介電質(zhì)崩潰強(qiáng)度的降低和重金屬會(huì)縮短少數(shù)載子壽命進(jìn)而影響元件的效率等。

因此，為了適應(yīng)液晶面板生產(chǎn)持續(xù)往輕、薄、短、小及高密度方向發(fā)展，對(duì)超純水水質(zhì)的要求將越來(lái)越嚴(yán)格，以減少超純水在制程工藝中對(duì)液晶面板產(chǎn)生的缺陷。