設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進(jìn)行不同組合搭配衍生而來(lái)。現(xiàn)將他們的優(yōu)缺點(diǎn)分別列于右邊：
設(shè)備優(yōu)點(diǎn)
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第一種 采用離子交換樹(shù)脂
其優(yōu)點(diǎn)在于初投資少，占用的地方少，但缺點(diǎn)就是需要經(jīng)常進(jìn)行離子再生，耗費(fèi)大量酸堿，而且對(duì)環(huán)境有一定的破壞。
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第二種 采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換
其特點(diǎn)為初投次比采用離子交換樹(shù)脂方式要高，但離子再生周期相對(duì)要長(zhǎng)，耗費(fèi)的酸堿比單純采用離子樹(shù)脂的方式要少很多。但對(duì)環(huán)境還是有一定的破壞性。
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第三種 采用反滲透作預(yù)處理
再配上電去離子(EDI)裝置
這是目前制取超純水最經(jīng)濟(jì)，最環(huán)保用來(lái)制取超純水的工藝，不需要用酸堿進(jìn)行再生便可連續(xù)制取超純水，對(duì)環(huán)境沒(méi)什么破壞性。其缺點(diǎn)在于初投資相對(duì)以上兩種方式稍貴一點(diǎn)。
技術(shù)要求
采用膜表面高分子嫁接技術(shù)，產(chǎn)水TOC在20PPB以下，更適用電子級(jí)超純水系統(tǒng)。 高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC達(dá)標(biāo)沖洗時(shí)間短、先進(jìn)配套電源技術(shù)，能耗更低。
水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)
1、ASTM-D5127-2007《美國(guó)電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》
2、歐盟電子級(jí)超純水標(biāo)準(zhǔn)
3、中國(guó)電子工業(yè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)
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