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水處理領(lǐng)域整體解決方案供應(yīng)商
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　多晶硅超純水設(shè)備主要用在多晶硅片清洗中，多晶硅片,半導(dǎo)體器件生產(chǎn)中硅片須經(jīng)嚴(yán)格清洗。微量污染也會導(dǎo)致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質(zhì)，包括有機物和無機物。這些雜質(zhì)有的以原子狀態(tài)或離子狀態(tài)，有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。有機污染包括光刻膠、有機溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等，嚴(yán)重影響少數(shù)載流子壽命和表面電導(dǎo);堿金屬如鈉等，引起嚴(yán)重漏電,顆粒污染包括硅渣、塵埃、細(xì)菌、微生物、有機膠體纖維等，會導(dǎo)致各種缺陷。針對多晶硅加工工藝需求和當(dāng)?shù)厮辞闆r，可采用工藝流程:ASS+UF+1RO+2RO+EDI+SMB或MMF+ACF+1RO+2RO+EDI+SMB工藝流程，純水一號采用國內(nèi)先進設(shè)計理念，確保系統(tǒng)設(shè)備產(chǎn)水達到標(biāo)準(zhǔn)。純水一號超純水設(shè)備流程圖
設(shè)備優(yōu)點

目前制備電子工業(yè)用超純水的工藝基本上是以上三種，其余的工藝流程大都是在以上三種基本工藝流程的基礎(chǔ)上進行不同組合搭配衍生而來?，F(xiàn)將他們的優(yōu)缺點分別列于右邊：

設(shè)備優(yōu)點
  • 第一種 采用離子交換樹脂

    其優(yōu)點在于初投資少，占用的地方少，但缺點就是需要經(jīng)常進行離子再生，耗費大量酸堿，而且對環(huán)境有一定的破壞。


  • 第二種 采用反滲透作為預(yù)處理再配上離子交換


    其特點為初投次比采用離子交換樹脂方式要高，但離子再生周期相對要長，耗費的酸堿比單純采用離子樹脂的方式要少很多。但對環(huán)境還是有一定的破壞性。




  • 第三種 采用反滲透作預(yù)處理
    再配上電去離子(EDI)裝置


    這是目前制取超純水最經(jīng)濟，最環(huán)保用來制取超純水的工藝，不需要用酸堿進行再生便可連續(xù)制取超純水，對環(huán)境沒什么破壞性。其缺點在于初投資相對以上兩種方式稍貴一點。



技術(shù)要求

采用膜表面高分子嫁接技術(shù)，產(chǎn)水TOC在20PPB以下，更適用電子級超純水系統(tǒng)。 高TOC脫除率、高抗污染能力、低TOC溶出率，TOC達標(biāo)沖洗時間短、先進配套電源技術(shù)，能耗更低。

水質(zhì)標(biāo)準(zhǔn)

1、ASTM-D5127-2007《美國電子學(xué)和半導(dǎo)體工業(yè)用超純水標(biāo)準(zhǔn)》

2、歐盟電子級超純水標(biāo)準(zhǔn)

3、中國電子工業(yè)國家標(biāo)準(zhǔn)

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